VRF157FLMP datasheet(1/5 Pages) MICROSEMI

tên linh kiện	VRF157FLMP

Giải thích chi tiết về linh kiện	RF POWER VERTICAL MOSFET

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	MICROSEMI [Microsemi Corporation]

Trang chủ	http://www.microsemi.com

Logo

1 / 5 page

The VRF157FL is a gold-metallized silicon n-channel RF power transis-

tor designed for broadband commercial and military applications requiring

high power and gain without compromising reliability, ruggedness, or inter-

modulation distortion.

FEATURES

• Improved Ruggedness V

(BR)DSS = 170V

• 600W with 21dB Typical Gain @ 30MHz, 50V

• Excellent Stability & Low IMD

• Common Source Conﬁguration

• Available in Matched Pairs

• Nitride Passivated

• Economical Flangeless Package

• Refractory Gold Metallization

• High Voltage Replacement for MRF157

• RoHS Compliant

Symbol

Parameter

VRF157FL(MP)

Unit

V

DSS

Drain-Source Voltage

170

V

I

D

Continuous Drain Current @ T

C = 25°C

60

A

V

GS

Gate-Source Voltage

±40

V

P

D

Total Device dissipation @ T

C = 25°C

1350

W

T

STG

Storage Temperature Range

-65 to 150

°C

T

J

Operating Junction Temperature Max

200

RF POWER VERTICAL MOSFET

Maximum Ratings

All Ratings: T

C =25°C unless otherwise speciﬁed

Static Electrical Characteristics

Symbol

Parameter

Min

Typ

Max

Unit

V

(BR)DSS

Drain-Source Breakdown Voltage (V

GS = 0V, ID = 100mA)

170

180

V

DS(ON)

On State Drain Voltage (I

D(ON) = 40A, VGS = 10V)

3.0

5.0

I

DSS

Zero Gate Voltage Drain Current (V

DS = 100V, VGS = 0V)

4.0

mA

I

GSS

Gate-Source Leakage Current (V

DS = ±20V, VDS = 0V)

4.0

μA

g

fs

Forward Transconductance (V

DS = 10V, ID = 20A)

16

mhos

V

GS(TH)

Gate Threshold Voltage (V

DS = 10V, ID = 100mA)

2.9

3.6

4.4

V

Microsemi Website - http://www.microsemi.com

CAUTION:

These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

D

G

S

Thermal Characteristics

Symbol

Characteristic

Min

Typ

Max

Unit

R

θJC

Junction to Case Thermal Resistance

0.13

°C/W

R

θJHS

Junction to Sink Thermal Resistance (Use High Efﬁciency Thermal Joint Compound and Planar Heat Sink

Surface.)

0.22

VRF157FL

VRF157FLMP

50V, 600W, 80MHz

Số phần tương tự - VRF157FLMP

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Microsemi Corporation	VRF157FL	120Kb / 4P	RF POWER VERTICAL MOSFET

More results

Mô tả tương tự - VRF157FLMP

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Microsemi Corporation	VRF141G	111Kb / 4P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF151E	129Kb / 4P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF152E	121Kb / 4P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF190E	118Kb / 4P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF157FL	120Kb / 4P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF148A	200Kb / 5P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF150	151Kb / 5P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF2933	124Kb / 5P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF152	123Kb / 5P	RF POWER VERTICAL MOSFET
	VRF154FL	143Kb / 5P	RF POWER VERTICAL MOSFET

More results

VRF157FLMP bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Microsemi Corporation

VRF157FLMP bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Microsemi Corporation

Số phần tương tự - VRF157FLMP

Mô tả tương tự - VRF157FLMP

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL