| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SCG3019 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SCG3019 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH |
|
2 / 4 page ![]() SCG3019 N-Channel Enhancement MOSFET Elektronische Bauelemente 04-May-2010 Rev. A Page 2 of 4 http://www.SeCoSGmbH.com/ Any changes of specification will not be informed individually. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA=25°C unless otherwise specified) CHARACTERISTICS SYMBOL MIN TYP MAX UNIT TEST CONDITIONS Off Characteristics Drain-Source Breakdown Voltage BVDSS 30 - - V VGS = 0V, ID = 10μA Zero Gate Voltage Drain Current IDSS - - 1 μA VDS = 30V, VGS = 0V Gate-Source Leakage IGSS - - ±1 μA VGS= ±20V, VDS=0V Gate Threshold Voltage VGS(th) 0.8 - 1.5 V VDS= 3V, ID=100μA Static Drain-Source On Resistance RDS(ON) - - 8 Ω VGS= 4V, ID = 10mA - - 13 VGS= 2.5V, ID = 1mA Forward transfer admittance gfs 20 - - mS VDS= 3V, ID = 10mA Dynamic Characteristics Input Capacitance Ciss - 13 - pF VDS= 5V, VGS= 0V, f= 1MHz Output Capacitance Coss - 9 - Reverse Transfer Capacitance Crss - 4 - Switching Characteristics Turn-On Delay Time Td(ON) - 15 - nS VGS= 5V, VDD= 5V, ID= 10mA, RG= 10Ω, RL= 500Ω Rise Time Tr - 35 - Turn-Off Delay Time Td(OFF) - 80 - Fall Time Tf - 80 - |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |