MMBT2907Q datasheet(1/3 Pages) SECOS

tên linh kiện	MMBT2907Q

Giải thích chi tiết về linh kiện	General Purpose Transistor

PDF	3 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Trang chủ	http://www.secosgmbh.com

Logo

1 / 3 page

Any changing of specification will not be informed individual

MMBT2907Q

PNP Silicon

General Purpose Transistor

RoHS Compliant Product

http://www.SeCoSGmbH.com

Elektronische Bauelemente

* Features

Power dissipation

PCM : 1.25 W (Temp.= 25 C)

Collector current

ICM

: -0.6 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO : -60 V

Operating & Storage junction Temperature

Tj, Tstg : -55 C~ +150 C

O

Electrical Characteristics( Tamb=25OC unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

Ic= -10μA，

IE=0

-60

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

Ic= -10mA， IB=0

-60

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

IE=-10μA， IC=0

-5

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB=-50 V ,

IE=0

-0. 01

μA

Emitter cut-off current

IEBO

VEB= -3V ,

IC=0

-0. 01

μA

hFE(1)

VCE=-1V,

IC= -0.1mA

75

hFE(2)

VCE=-1V,

IC= -1mA

100

hFE(3)

VCE=-1V,

IC=-10mA

100

hFE(4)

VCE=-2V,

IC= -150mA

100

300

DC current gain

hFE(5)

VCE=-2V,

IC=-500mA

50

VCE(sat)1

IC=-150 mA, IB=-15mA

-0.4

V

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)2

IC=-500 mA, IB=- 50mA

-1.6

V

VBE(sat)1

IC=-150 mA, IB=-15mA

-1.3

V

Base-emitter saturation voltage

VBE(sat)2

IC=-500 mA, IB= -50mA

-2.6

V

Transition frequency

fT

VCE=-20V,

IC= -50mA

f=100MHz

200

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB=-10V,

IE= 0

f=1MHz

8

pF

Input Capacitance

Cib

VEB=-2V,

IC= 0

f=1MHz

30

pF

Delay time

td

12

nS

Rise time

tr

VCC=-30V,

IC=-150mA,IB1=-15mA

30

nS

Storage time

tS

300

nS

Fall time

tf

IC=-150mA

IB1= IB2= -15mA

65

nS

Symbol

A

b

b1

c

D

D1

E

E1

e

e1

L

Min

1.400

0.320

0.360

0.350

4.400

1.400

2.300

3.940

2.900

0.900

Max

1.600

0.520

0.560

0.440

4.600

1.800

2.600

4.250

3.100

1.100

Min

0.055

0.013

0.014

0.173

0.055

0.091

0.155

0.114

0.035

Max

0.063

0.020

0.022

0.017

0.181

0.071

0.102

0.167

0.122

0.043

Dimensions In Millimeters

Dimensions In Inches

0.060TYP

1.500TYP

D

D1

C

A

b

b1

e

e1

SOT-89

1.B AS E

2.C OLLE C T OR

3.E MIT T E R

３

1

2

3

01-Jun-2002 Rev. A

Page 1 of 3

Số phần tương tự - MMBT2907Q

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SeCoS Halbleitertechnol...	MMBT2907Q	374Kb / 3P	General Purpose Transistor

More results

Mô tả tương tự - MMBT2907Q

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Rohm	EML17	76Kb / 4P	General purpose transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	2SA673	360Kb / 2P	General Purpose Transistor
	BCP772	493Kb / 2P	General Purpose Transistor
	KSD471A	202Kb / 2P	General Purpose Transistor
	KTC3198	109Kb / 3P	General Purpose Transistor
	MMBT593	355Kb / 2P	General Purpose Transistor
	MMBT2222Q	257Kb / 4P	General Purpose Transistor
	MMBT3904W	419Kb / 6P	General Purpose Transistor
	PZT3904	188Kb / 5P	General Purpose Transistor
WILLAS ELECTRONIC CORP	MMBT2907AWT1	285Kb / 3P	General Purpose Transistor

More results

MMBT2907Q bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

MMBT2907Q bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

Số phần tương tự - MMBT2907Q

Mô tả tương tự - MMBT2907Q

Html Pages

1 2 3

bảng dữ liệu tải về

Link URL