M8550 datasheet(1/2 Pages) SECOS

tên linh kiện	M8550

Giải thích chi tiết về linh kiện	PNP Plastic Encapsulate Transistor

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Trang chủ	http://www.secosgmbh.com

Logo

1 / 2 page

M8550

-40V, -0.8A, 200mW

PNP Plastic Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

29-Apr-2011 Rev. A

Page 1 of 2

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

Top View

A

L

C B

D

G

H

J

F

K

E

1

2

3

1

2

3

1

Base

2

Emitter

Collector

3

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

Power dissipation

MARKING

CLASSIFICATION OF hFE(2)

Product-Rank

M8550-L

M8550-H

Range

85-200

200-300

PACKAGE INFORMATION

Package

MPQ

Leader Size

SOT-23

3K

7’ inch

MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Collector - Base Voltage

VCBO

-40

V

Collector - Emitter Voltage

VCEO

-25

V

Emitter - Base Voltage

VEBO

-6

V

Collector Current - Continuous

IC

-0.8

A

Collector Power Dissipation

PC

0.2

W

Junction, Storage Temperature

TJ, TSTG

150, -55~150

°C

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test conditions

Collector-Base Breakdown Voltage

V(BR)CBO

-40

-

V

IC= -100µA, IE=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage

V(BR)CEO*

-25

-

V

IC= -1mA, IB=0

Emitter-Base Breakdown Voltage

V(BR)EBO

-6

-

V

IE= -100µA, IC=0

Collector Cut-Off Current

ICBO

-

-0.1

µA

VCB= -35V, IE=0

Emitter Cut-Off Current

ICEO

-

-0.1

µA

VCE= -20V, IC=0

DC Current Gain

hFE (1)

45

-

VCE= -1V, IC= -5mA

hFE (2)

80

-

300

VCE= -1V, IC= -100mA

hFE (3)

40

-

VCE= -1V, IC= -800mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

VCE(sat)

-

-0.5

V

IC= -800mA, IB= -80mA

Base-Emitter Saturation Voltage

VBE(sat)

-

-1.2

V

IC= -800mA, IB= -80mA

Transition frequency

fT

150

-

MHz

VCE= -6V, IC= -20mA, f=30MHz

*Pulse test：pulse width ≦ 300µS, duty cycle ≦ 2%.

Product

Marking Code

M8550

Y21

SOT-23

REF.

Millimeter

REF.

Millimeter

Min.

Max.

Min.

Max.

A

2.70

3.04

G

-

0.18

B

2.10

2.80

H

0.40

0.60

C

1.20

1.60

J

0.08

0.20

D

0.89

1.40

K

0.6 REF.

E

1.78

2.04

L

0.85

1.15

F

0.30

0.50

Số phần tương tự - M8550

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Jiangsu Changjiang Elec...	M8550	34Kb / 1P	TRANSISTOR 竊?PNP 竊
Shenzhen Jin Yu Semicon...	M8550	727Kb / 2P	TRANSISTOR(PNP)
Diode Semiconductor Kor...	M8550	205Kb / 3P	Silicon Epitaxial Planar Transistor
Yea Shin Technology Co....	M8550	605Kb / 2P	Plastic-Encapsulate Transistors
Galaxy Semi-Conductor H...	M8550	137Kb / 3P	Silicon Epitaxial Planar Transistor

More results

Mô tả tương tự - M8550

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SeCoS Halbleitertechnol...	BC807-16W	197Kb / 3P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Weitron Technology	BCX53	700Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Micro Commercial Compon...	MMBT5401	68Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
Weitron Technology	BC869	522Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	KTA1266	216Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
Micro Commercial Compon...	2SA1012	213Kb / 2P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
SeCoS Halbleitertechnol...	BC807	419Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
	BC327	299Kb / 3P	PNP Plastic-Encapsulate Transistor
	CZD772M	314Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor
	BCX53	341Kb / 2P	PNP Plastic Encapsulate Transistor

More results

M8550 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

M8550 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

Số phần tương tự - M8550

Mô tả tương tự - M8550

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL