| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IPW65R080CFD bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPW65R080CFD bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
6 / 12 page ![]() 650V CoolMOS™ CFD Power Transistor IPW65R080CFD Electrical characteristics Final Data Sheet 6 Rev. 2.0, 2011-02-02 Table 6 Gate charge characteristics Parameter Symbol Values Unit Note / Test Condition Min. Typ. Max. Gate to source charge Qgs -25 - nC VDD=480 V, ID=26.3 A, VGS=0 to 10 V Gate to drain charge Qgd -120 - Gate charge total Qg -170 - Gate plateau voltage Vplateau -6.4 - V Table 7 Reverse diode characteristics Parameter Symbol Values Unit Note / Test Condition Min. Typ. Max. Diode forward voltage VSD -0.9 - V VGS=0 V, IF=26.3 A, Tj=25 °C Reverse recovery time trr -180 - ns VR=400 V, IF=26.3 A, diF/dt=100 A/µs Reverse recovery charge Qrr -1 - µC Peak reverse recovery current Irrm -10 - A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |