| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IPI60R099CP bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPI60R099CP bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - Infineon Technologies AG |
|
6 / 10 page ![]() IPI60R099CP 9 Typ. gate charge 10 Forward characteristics of reverse diode V GS=f(Q gate); I D=18 A pulsed I F=f(V SD) parameter: V DD parameter: T j 11 Avalanche energy 12 Drain-source breakdown voltage E AS=f(T j); I D=11 A; V DD=50 V V BR(DSS)=f(T j); I D=0.25 mA 25 °C 150 °C 25 °C, 98% 150 °C, 98% 10 2 10 1 10 0 10 -1 0 0.5 1 1.5 2 V SD [V] 120 V 400 V 0 2 4 6 8 10 0 102030 405060 Q gate [nC] 540 580 620 660 700 -60 -20 20 60 100 140 180 T j [°C] 0 250 500 750 1000 20 60 100 140 180 T j [°C] Rev. 2.0 page 6 2008-02-19 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |