| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFP640F bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFP640F bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Infineon Technologies AG |
|
1 / 10 page ![]() 2007-05-31 BFP640F 1 1 2 4 3 NPN Silicon Germanium RF Transistor* • High gain low noise RF transistor • Provides outstanding performance for a wide range of wireless applications • Ideal for CDMA and WLAN applications • Outstanding noise figure F = 0.65 dB at 1.8 GHz Outstanding noise figure F = 1.2 dB at 6 GHz • High maximum stable gain Gms = 23 dB at 1.8 GHz • Gold metallization for extra high reliability • 70 GHz fT-Silicon Germanium technology • Pb-free (RoHS compliant) package1) • Qualified according AEC Q101 * Short term description 1 3 4 2 Direction of Unreeling Top View XYs ESD (Electrostatic discharge) sensitive device, observe handling precaution! Type Marking Pin Configuration Package BFP640F R4s 1=B 2=E 3=C 4=E - - TSFP-4 1Pb-containing package may be available upon special request |
Số phần tương tự - BFP640F |
|
Mô tả tương tự - BFP640F |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |