IXFX32N100P datasheet(1/4 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXFX32N100P

Giải thích chi tiết về linh kiện	Polar Power MOSFET HiPerFET

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 4 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

DSS

T

J

= 25

°C to 150°C

1000

V

DGR

T

J

= 25

°C to 150°C, R

GS = 1MΩ

1000

V

GSS

Continuous

± 30

V

GSM

Transient

± 40

V

I

D25

T

C = 25°C32

A

I

DM

T

C = 25°C, pulse width limited by TJM

75

A

I

AR

T

C = 25°C16

A

E

AS

T

C = 25°C

1.5

J

dV/dt

I

S

≤ I

DM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 150°C

10

V/ns

P

D

T

C = 25°C

960

W

T

J

-55 ... +150

°C

T

JM

150

°C

T

stg

-55 ... +150

°C

T

L

1.6mm (0.062 in.) from case for 10s

300

°C

T

SOLD

Plastic body for 10s

260

°C

M

d

Mounting torque

(IXFK)

1.13/10

Nm/lb.in.

F

C

Mounting force

(IXFX)

20..120/4.5..27

Nm/lb.

Weight

TO-264

10

g

TO-247

6

g

G = Gate

D = Drain

S = Source

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV

DSS

V

GS = 0V, ID = 3mA

1000

V

GS(th)

V

DS = VGS, ID = 1mA

3.5

6.5

V

I

GSS

V

GS = ± 30V, VDS = 0V

± 200 nA

I

DSS

V

DS = VDSS

50

μA

V

GS = 0V

T

J = 125°C

2.5 mA

R

DS(on)

V

GS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Note 1

320 m

Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

Features

Fast intrinsic diode

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Advantages

Easy to mount

Space savings

High power density

IXFK32N100P

IXFX32N100P

V

DSS

= 1000V

I

D25

= 32A

R

DS(on) ≤

≤≤≤≤ 320m

Ω

t

rr

≤≤≤≤≤ 300ns

DS99777C(4/08)

PLUS247 (IXFX)

TO-264 (IXFK)

S

G

D

(TAB)

Applications:

Switched-mode and resonant mode

power supplies

DC-DC Converters

Laser Drivers

AC and DC motor controls

Robotics and servo controls

PolarTM Power MOSFET

HiPerFETTM

Số phần tương tự - IXFX32N100P

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Inchange Semiconductor ...	IXFX32N100	367Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXFX32N100Q3	132Kb / 5P	HiperFET Power MOSFETs Q3-Class

More results

Mô tả tương tự - IXFX32N100P

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXFH18N90P	203Kb / 5P	Polar Power MOSFET HiPerFET
	IXFH24N90P	128Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET
	IXFK40N90P	124Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET
	IXFN56N90P	120Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET
	IXFA12N50P	150Kb / 5P	Polar Power MOSFET HiperFET
	IXFH170N10P	146Kb / 5P	Polar HiperFET Power MOSFET
	IXFB30N120P	147Kb / 5P	Polar HiPerFET Power MOSFET
	IXFK30N110P	121Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET
	IXFN30N120P	114Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET
	IXFN40N110P	116Kb / 4P	Polar Power MOSFET HiPerFET

More results

IXFX32N100P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXFX32N100P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXFX32N100P

Mô tả tương tự - IXFX32N100P

Html Pages

1 2 3 4

bảng dữ liệu tải về

Link URL