IXFC14N80P datasheet(1/4 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXFC14N80P

Giải thích chi tiết về linh kiện	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS 220

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 4 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

DSS

T

J

= 25

°C to 150°C

800

V

DGR

T

J

= 25

°C to 150°C; R

GS = 1 MΩ

800

V

GS

Continuous

±30

V

GSM

Transient

±40

V

I

D25

T

C = 25°C8

A

I

DM

T

C = 25°C, pulse width limited by TJM

40

A

I

AR

T

C = 25°C7

A

E

AR

T

C = 25°C30

mJ

E

AS

T

C = 25°C

1.2

J

dv/dt

I

S

≤ I

DM, di/dt ≤ 100 A/μs, VDD ≤ VDSS,

10

V/ns

T

J

≤ 150°C, R

G = 5 Ω

P

D

T

C = 25°C

130

W

T

J

-55 ... +150

°C

T

JM

150

°C

T

stg

-55 ... +150

°C

T

L

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

V

ISOL

50/60 Hz, RMS, t = 1, leads-to-tab

2500

V~

F

C

Mounting Force

11..65/2.5..15

N/lb

Weight

2g

G = Gate

D = Drain

S = Source

DS99594E(07/06)

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C, unless otherwise specified)

Min.

Typ.

Max.

BV

DSS

V

GS = 0 V, ID = 250 μA

800

V

GS(th)

V

DS

= V

GS, ID = 4 mA

3.0

5.5

V

I

GSS

V

GS = ±30 V, VDS = 0 V

±100

nA

I

DSS

V

DS

= V

DSS

25

μA

V

GS = 0 V

T

J = 125°C1

mA

R

DS(on)

V

GS = 10 V, ID = 7 A

770

m

Ω

Pulse test, t

≤ 300 μs, duty cycle d ≤ 2 %

V

DSS

=

800

V

I

D25

=

8

A

R

DS(on) ≤

≤≤≤≤ 770 mΩ

Ω

trr

≤≤≤≤≤ 250 ns

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

ISOPLUS220TM (IXFC)

E153432

G

D

S

(Isolated Tab)

Features

Silicon chip on Direct-Copper-Bond

substrate

- High power dissipation

- Isolated mounting surface

- 2500V electrical isolation

Low drain to tab capacitance(<30pF)

Applications

DC-DC converters

Battery chargers

Switched-mode and resonant-mode

power supplies

DC choppers

AC motor control

Advantages

Easy assembly

Space savings

High power density

IXFC 14N80P

PolarHVTM HiPerFET

Power MOSFET

ISOPLUS 220TM

(Electrically Isolated Tab)

Số phần tương tự - IXFC14N80P

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Inchange Semiconductor ...	IXFC14N80P	324Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

More results

Mô tả tương tự - IXFC14N80P

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXFC26N50P	180Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS 220
	IXFC30N60P	141Kb / 4P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFC36N50P	254Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFH20N80P	331Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFH44N50P	301Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFN48N60P	90Kb / 4P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFN80N50P	162Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFN82N60P	158Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFN100N50P	158Kb / 5P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET
	IXFI7N80P	146Kb / 4P	PolarHV HiPerFET Power MOSFET

More results

IXFC14N80P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXFC14N80P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXFC14N80P

Mô tả tương tự - IXFC14N80P

Html Pages

1 2 3 4

bảng dữ liệu tải về

Link URL