| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
50N06L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
50N06L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 8 page ![]() 50N06 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 8 www.unisonic.com.tw QW-R502-088.E ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) SWITCHING CHARACTERISTICS Turn-On Delay Time tD(ON) 40 60 ns Turn-On Rise Time tR 100 200 ns Turn-Off Delay Time tD(OFF) 90 180 ns Turn-Off Fall Time tF VDD = 30V, ID =25 A, RG = 50Ω (Note 1, 2) 80 160 ns Total Gate Charge QG 30 40 nC Gate-Source Charge QGS 9.6 nC Gate-Drain Charge QGD VDS = 48V, VGS = 10 V ID = 50A (Note 1, 2) 10 nC DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS Drain-Source Diode Forward Voltage VSD IS = 50A, VGS = 0 V 1.5 V Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS 50 A Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM 200 A Reverse Recovery Time tRR 54 ns Reverse Recovery Charge QRR IS = 50A, VGS = 0 V dIF / dt = 100 A/μs 81 μC Notes: 1. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2% 2. Essentially independent of operating temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |