| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
7N10L-AA3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
7N10L-AA3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 6 page ![]() 7N10 Preliminary Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R502-394.d ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Cont.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT SOURCE- DRAIN DIODE RATINGS AND CHARACTERISTICS Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS 7 A Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM 16 A Drain-Source Diode Forward Voltage VSD IS =7A, VGS =0V 1.5 V Reverse Recovery Time tRR 70 ns Reverse Recovery Charge QRR VGS =0V,IS =7.3A,diF/dt=100A/µs 150 nC Notes: 1. Pulse Test : Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% 2. Essentially independent of operating temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |