| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
6N60L-X-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
6N60L-X-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Unisonic Technologies |
|
3 / 6 page ![]() 6N60 Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 3 of 6 www.unisonic.com.tw QW-R502-117.D ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Cont.) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT SWITCHING CHARACTERISTICS Turn-On Delay Time tD(ON) 20 50 ns Turn-On Rise Time tR 70 150 ns Turn-Off Delay Time tD(OFF) 40 90 ns Turn-Off Fall Time tF VDD=300V, ID =6.2A, RG =25Ω (Note 1, 2) 45 100 ns Total Gate Charge QG 20 25 nC Gate-Source Charge QGS 4.9 nC Gate-Drain Charge QGD VDS=480V, ID=6.2A, VGS=10 V (Note 1, 2) 9.4 nC DRAIN-SOURCE DIODE CHARACTERISTICS AND MAXIMUM RATINGS Drain-Source Diode Forward Voltage VSD VGS = 0 V, IS = 6.2 A 1.4 V Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current IS 6.2 A Maximum Pulsed Drain-Source Diode Forward Current ISM 24.8 A Reverse Recovery Time tRR 290 ns Reverse Recovery Charge QRR VGS = 0 V, IS = 6.2 A, dIF/dt = 100 A/μs (Note 1) 2.35 μC Notes: 1. Pulse Test: Pulse width ≤ 300μs, Duty cycle ≤ 2% 2. Essentially independent of operating temperature |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |