| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
6N10L-TN3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
6N10L-TN3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 4 page ![]() 6N10 Preliminary Power MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 4 www.unisonic.com.tw QW-R502-486.a ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC =25°C, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous ID 6.5 A Continuous Drain Current Pulsed IDM 8.0 A Repetitive Avalanche Energy (Duty Cycle ≤1%) L = 0.1 mH EAR 1.25 mJ Power Dissipation PD 16 W Junction Temperature TJ +150 °C Storage Temperature TSTG -55~+150 °C Note : Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. THERMAL CHARACTERISTICS PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Junction to Ambient θJA 100 °C/W Junction to Case θJC 7.5 °C/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |