| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3LN01M-AL3-R bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3LN01M-AL3-R bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Unisonic Technologies |
|
1 / 3 page ![]() UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 3LN01M Preliminary Power MOSFET www.unisonic.com.tw 1 of 4 Copyright © 2008 Unisonic Technologies Co., Ltd QW-R502-285.a N CHANNEL SILICON MOSFET GENERAL-PURPOSE SWITCHING DEVICE APPLICATIONS DESCRIPTION The 3LN01M uses UTC advanced technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with low gate voltages. This device’s general purpose is for switching device applications. FEATURES * RDS(ON) = 3.7Ω @VGS = 4 V * Ultra low gate charge ( typical 1.58 nC ) * Low reverse transfer capacitance ( CRSS = typical 2.3 pF ) * Fast switching capability * Avalanche energy specified * Improved dv/dt capability, high ruggedness SYMBOL 2.Gate 1.Source 3.Drain Lead-free: 3LN01ML Halogen-free: 3LN01MG ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Normal Lead Free Halogen-Free Package 1 2 3 Packing 3LN01M-AL3-R 3LN01ML-AL3-R 3LN01MG-AL3-R SOT-323 S G D Tape Reel MARKING |
Số phần tương tự - 3LN01M-AL3-R |
|
Mô tả tương tự - 3LN01M-AL3-R |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |