| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD880 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD880 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 4 page ![]() 2SD880 NPN SILICON TRANSISTOR UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 4 www.unisonic.com.tw QW-R203-013.D ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector to Base Voltage VCBO 60 V Collector to Emitter Voltage VCEO 60 V Emitter to Base Voltage VEBO 7 V Collector Current IC 3 A Base Current IB 0.5 A Power Dissipation PD 30 W Junction Temperature TJ +150 °C Storage Temperature TSTG -55~+150 °C Note: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T A =25°C) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Emitter Breakdown Voltage BVCEO IC=50mA, IE=0 60 V Collector Cut-Off Current ICBO VCB=60V, IE=0 100 µA Emitter Cut-Off Current IEBO VEB=7V, IC=0 100 µA Collector-Emitter Saturation Voltage VCE(SAT) IC=3A, IB=300mA 1 V Base-Emitter Saturation Voltage VBE(ON) VCE=5V, IC=500mA 1 V DC Current Gain hFE IC=500mA, VCE=5V 100 200 Current gain bandwidth product fT VCE=5V, IC=500mA 3 MHZ |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |