| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SC3356-X-AE3-R bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC3356-X-AE3-R bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Unisonic Technologies |
|
2 / 4 page ![]() 2SC3356 NPN SILICON TRANSISTOR UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 2 of 4 www.unisonic.com.tw QW-R206-024,D ABSOLUTE MAXIMUM RATING PARAMETER SYMBOL RATINGS UNIT Collector to Base Voltage BVCBO 20 V Collector to Emitter Voltage BVCEO 12 V Emitter to Base Voltage BVEBO 3 V Collector Current IC 100 mA Power Dissipation PD 200 mW Junction Temperature TJ 150 °С Storage Temperature TSTG -65~ +150 °С Notes: Absolute maximum ratings are those values beyond which the device could be permanently damaged. Absolute maximum ratings are stress ratings only and functional device operation is not implied. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25°С, unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT Collector-Base Cut-Off Current ICBO VCB =10 V,IE =0 1.0 μA Emitter-Base Cut-Off Current IEBO VEB =1 V, IC=0 1.0 μA DC Current Gain hFE VCE =10 V, IC =20 mA 50 300 Gain Bandwidth Product fT VCE =10 V, IC =20 mA 7 GHz Feed-Back Capacitance CRE VCB =10 V, IE =0, f =1.0MHz 1.0 pF Noise Figure NF VCE =10 V, IC =7mA, f =1.0GHz 2.0 dB CLASSIFICATION OF hFE RANK A B C RANGE 50-160 160-240 240-300 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |