| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SC5550 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5550 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
1 / 5 page ![]() 2SC5550 2004-07-26 1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5550 High-Speed Switching Application for Inverter Lighting System • Suitable for RCC circuit (guaranteed small current hFE) : hFE = 13 (min) (IC = 1 mA) • High speed: tr = 0.5 µs (max), tf = 0.3 µs (max) (IC = 0.24 A) • High breakdown voltage: VCEO = 400 V Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 400 V Collector-emitter voltage VCEO 400 V Emitter-base voltage VEBO 7 V DC IC 1 Collector current Pulse ICP 2 A Base current IB 0.5 A Ta = 25°C 1.5 Collector power dissipation Tc = 25°C PC 10 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C Unit: mm JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-8H1A Weight: 0.82 g (typ.) |
Số phần tương tự - 2SC5550 |
|
Mô tả tương tự - 2SC5550 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |