| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SC5361 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5361 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Toshiba Semiconductor |
|
1 / 5 page ![]() 2SC5361 2004-07-26 1 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5361 High-Voltage Switching Applications Switching Regulator Applications DC-DC Converter Applications • Excellent switching times: tf = 0.5 µs (max) (IC = 1.2 A) • High breakdown voltage: VCEO = 800 V • High DC current gain: hFE = 15 (min) (IC = 0.15 A) Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 900 V Collector-emitter voltage VCEO 800 V Emitter-base voltage VEBO 7 V DC IC 3 Collector current Pulse ICP 5 A Base current IB 1 A Ta = 25°C 1.5 Collector power dissipation Tc = 25°C PC 40 W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature range Tstg −55 to 150 °C Unit: mm JEDEC ― JEITA ― TOSHIBA 2-10S1A Weight: 1.5 g (typ.) |
Số phần tương tự - 2SC5361 |
|
Mô tả tương tự - 2SC5361 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |