| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N60 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Estek Electronics Co. Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N60 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Estek Electronics Co. Ltd |
|
1 / 5 page ![]() N2 Amps,600Volts N-Channel MOSFET ■ Description The ET2N60 N-Ceannel enhancement mode silicon gate power MOSFET is designed for high voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, switching converters, solenoid, motor drivers, relay drivers . ■ Features RDS(ON) = 5.00 @VGS = 10 V Low gate charge ( typical 9nC) High ruggedness Fast switching capability Avalanche energy specified Improved dv/dt capability ■ Symbol ■ Absolute Maximum Ratings(T c=25℃,unless otherwise specified) Ratings Parameter Symbol TO-220 TO-220F TO-251 TO-252 Units Drain-Source Voltage VDSS 600 V Gate-Source Voltage VGSS ±30 V Tc=25℃ 2.0 2.0 * 1.9 A Drain Currenet Continuous Tc=100℃ ID 1.35 1.35 * 1.14 A Drain Current Pulsed (Note 1) IDP 8 8 * 7.6 A Repetitive (Note 1) EAR 5.55 4.4 mJ Avalanche Energy Single Pulse (Note EAS 130 120 mJ Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3) dv/dt 4.5 V/ns Total Power Dissipation Tc=25℃ PD 55.5 23.6 44 W BEIJING ESTEK ELECTRONICS CO.,LTD 1 2N60 |
Số phần tương tự - 2N60 |
|
Mô tả tương tự - 2N60 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |