công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

DMB53D0UDW bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Diodes Incorporated

tên linh kiện DMB53D0UDW
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PLUS NPN TRANSISTOR
PDF  7 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  DIODES [Diodes Incorporated]
Trang chủ  http://www.diodes.com
Logo DIODES - Diodes Incorporated

DMB53D0UDW bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Diodes Incorporated

  DMB53D0UDW Datasheet HTML 1Page - Diodes Incorporated DMB53D0UDW Datasheet HTML 2Page - Diodes Incorporated DMB53D0UDW Datasheet HTML 3Page - Diodes Incorporated DMB53D0UDW Datasheet HTML 4Page - Diodes Incorporated DMB53D0UDW Datasheet HTML 5Page - Diodes Incorporated DMB53D0UDW Datasheet HTML 6Page - Diodes Incorporated DMB53D0UDW Datasheet HTML 7Page - Diodes Incorporated  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 7 page
background image
DMB53D0UDW
Document number: DS31675 Rev. 5 - 2
2 of 7
www.diodes.com
December 2009
© Diodes Incorporated
DMB53D0UDW
Electrical Characteristics - MOSFET @TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
OFF CHARACTERISTICS (Note 2)
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
50
⎯
⎯
V
VGS = 0V, ID = 250μA
Zero Gate Voltage Drain Current
IDSS
⎯
⎯
10
μA
VDS = 50V, VGS = 0V
Gate-Body Leakage
IGSS
⎯
⎯
1.0
5.0
μA
VGS = ±8V, VDS = 0V
VGS = ±12V, VDS = 0V
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
0.7
0.8
1.0
V
VDS = VGS, ID = 250μA
Static Drain-Source On-Resistance
RDS (ON)
⎯
3.1
4
Ω
VGS = 4V, ID = 100mA
⎯
4
5
VGS = 2.5V, ID = 80mA
Forward Transconductance
gFS
180
⎯
⎯
mS
VDS = 10V, ID = 100mA,
f = 1.0KHz
DYNAMIC CHARACTERISTICS
Input Capacitance
Ciss
⎯
25
⎯
pF
VDS = 10V, VGS = 0V,
f = 1.0MHz
Output Capacitance
Coss
⎯
5
⎯
pF
Reverse Transfer Capacitance
Crss
⎯
2.1
⎯
pF
Electrical Characteristics - NPN Transistor @TA = 25°C unless otherwise specified
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test Condition
Collector-Base Breakdown Voltage
(Note 4)
V(BR)CBO
50
—
—
V
IC = 10μA, IB = 0
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(Note 4)
V(BR)CEO
45
—
—
V
IC = 10mA, IB = 0
Emitter-Base Breakdown Voltage
(Note 4)
V(BR)EBO
6
—
—
V
IE = 1μA, IC = 0
DC Current Gain
(Note 4)
hFE
200
290
450
—
VCE = 5.0V, IC = 2.0mA
Collector-Emitter Saturation Voltage
(Note 4)
VCE(SAT)
—
—
100
300
mV
IC = 10mA, IB = 0.5mA
IC = 100mA, IB = 5.0mA
Base-Emitter Saturation Voltage
(Note 4)
VBE(SAT)
—
700
900
—
mV
IC = 10mA, IB = 0.5mA
IC = 100mA, IB = 5.0mA
Base-Emitter Voltage
(Note 4)
VBE
580
—
660
—
700
770
mV
VCE = 5.0V, IC = 2.0mA
VCE = 5.0V, IC = 10mA
Collector Cut-Off Current
(Note 4)
ICBO
—
—
15
5.0
nA
µA
VCB = 30V
VCB = 30V, TA = 150°C
Collector-Emitter Cut-Off Current
(Note 4)
ICES
—
—
100
nA
VCE = 45V
Gain Bandwidth Product
fT
100
—
—
MHz
VCE = 5.0V, IC = 10mA,
f = 100MHz
Output Capacitance
COBO
—
—
4.5
pF
VCB = 10V, f = 1.0MHz
Noise Figure
NF
—
—
10
dB
VCE = 5V, RS = 2.0kΩ,
f = 1.0kHz, BW = 200Hz
Notes:
4. Short duration pulse test used to minimize self-heating effect.



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com