| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SA2065 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA2065 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Toshiba Semiconductor |
|
2 / 5 page ![]() 2SA2065 2006-11-09 2 Electrical Characteristics (Ta = 25°C) Characteristics Symbol Test Condition Min Typ. Max Unit Collector cut-off current ICBO VCB = −20 V, IE = 0 ― ― −100 nA Emitter cut-off current IEBO VEB = −7 V, IC = 0 ― ― −100 nA Collector-emitter breakdown voltage V (BR) CEO IC = −10 mA, IB = 0 −20 ― ― V hFE (1) VCE = −2 V, IC = −0.15 A 200 ― 500 DC current gain hFE (2) VCE = −2 V, IC = −0.5 A 125 ― ― Collector-emitter saturation voltage VCE (sat) IC = −0.5 A, IB = −17 mA ― ― −0.14 V Base-emitter saturation voltage VBE (sat) IC = −0.5 A, IB = −17 mA ― ― −1.10 V Rise time tr ― 40 ― Storage time tstg ― 135 ― Switching time Fall time tf See Figure 1. VCC ≈ −10 V, RL = 20 Ω −IB1 = IB2 = −17 mA ― 37 ― ns Marking W K Part No. (or abbreviation code) Lot code (month) Lot code (year) Dot: even year No dot: odd year Figure 1 Switching Time Test Circuit & Timing Chart IB2 IB1 20 μs Output Input IB2 IB1 VCC Duty cycle < 1% |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |