| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MSC81090 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MSC81090 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
1 / 1 page ![]() A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1200 • FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS TC = 25 °C SYMBOL NONETEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS BVCBO IC = 1.0 mA 45 V BVCER IC = 5.0 mA RBE = 10 Ω 45 V BVEBO IE = 1.0 mA 3.5 V ICBO VCB = 28 V 0.5 mA hFE VCE = 5.0 V IC = 100 mA 15 120 --- Cob VCB = 18 V f = 1.0 MHz 3.2 pF POUT η C GP VCE = 18 V PIN = 0.2 W f = 1.0 GHz 2.0 50 10 2.2 55 10.4 W % dB NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR MSC81090 DESCRIPTION: The ASI MSC81090 is Designed for General Purpose Class A Power Amplifier Applications from 0.4 - 1.2 GHz. FEATURES: • P G = 10 dB min. at 2.0 W/ 1.0 GHz • Hermetically sealed Package • Omnigold™ Metalization System • Emitter Ballasted MAXIMUM RATINGS IC 200 A VCC 35 V PDISS 6.25 W @ TC ≤ 75 °C TJ -65 °C to +200 °C TSTG -65 °C to +200 °C θ JC 20 °C/W PACKAGE STYLE .230 4L STUD COMMON EMITTER |
Số phần tương tự - MSC81090 |
|
Mô tả tương tự - MSC81090 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |