| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IPT1206-CEF bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPT1206-CEF bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - IP SEMICONDUCTOR CO., LTD. |
|
2 / 4 page ![]() IPT1206-xxF ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tj = 25 ℃ unless otherwise specified) 2 STATIC CHARACTERISTICS Symbol Test Conditions Value(MAX) Unit VTM ITM = 17A, t p = 380uS Tj = 125 ℃ 1.55 V IDRM VD = VDRM Tj = 125 ℃ 5 uA IRRM VR = VRRM Tj = 125 ℃ 1 mA THERMAL RESISTANCES Symbol Parameter Value Unit Rth (j – c) Junction to case(AC) 3.3 ℃/W Symbol Test Condition Quadrant IPT1206-xxF Unit TE SE CE BE IGT VD = 12V RL = 30 Ω I – II – III MAX 5 10 35 50 mA VGT I – II – III MAX 1.3 V VGD VD=VDRM, RL=3.3K Ω, Tj = 125 ℃ I – II – III MIN 0.2 V IL IG = 1.2 IGT I – III MAX 10 25 50 70 mA II 15 30 60 80 IH IT = 100mA MAX 10 15 35 50 mA dV/dt VD = 67% VDRM gate open Tj = 125 ℃ MIN 20 40 500 1000 V/us (dI/dt)c (dV/dt) c=0.1V/us Tj = 125 ℃ MIN 3.5 6.5 - - A/ms (dV/dt) c=10V/us Tj = 125 ℃ 1.0 2.9 - - Without snubber Tj = 125 ℃ - - 6.5 12 4F, Cheong won B/D, 269 Hyoje-dong, Jongno-gu, Seoul, 110-480 Korea TEL : +82-70 - 7574 - 2839, Fax : +82-2-6280-6382, sales@ipsemiconductor.com |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |