| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP90N4F3 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP90N4F3 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 16 page ![]() STD90N4F3, STI90N4F3, STP90N4F3, STU90N4F3 Electrical characteristics Doc ID 14212 Rev 3 5/16 Table 6. Switching on/off (inductive load) Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit td(on) tr Turn-on delay time Rise time VDD=20 V, ID= 40 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V (see Figure 16) - 15 50 - ns ns td(off) tf Turn-off delay time Fall time VDD=20 V, ID= 40 A, RG=4.7 Ω, VGS=10 V (see Figure 16) - 40 15 - ns ns Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current Source-drain current (pulsed) - 80 320 A A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD=80 A, VGS=0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD=80 A, di/dt = 100 A/µs, VDD=30 V, Tj=150°C (see Figure 15) - 45 60 2.8 ns nC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |