công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

STP4N150 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STP4N150
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel 1500 V, 5 Ω, 4 A, PowerMESH??Power MOSFET in TO-220, TO-247, TO-3PF
PDF  15 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STP4N150 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

  STP4N150 Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics STP4N150 Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 15 page
background image
STFW4N150, STP4N150, STW4N150
Electrical ratings
Doc ID 11262 Rev 9
3/15
1
Electrical ratings
Table 2.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
TO-220
TO-247
TO-3PF
VDS
Drain-source voltage (VGS = 0)
1500
V
VGS
Gate- source voltage
± 30
V
ID
Drain current (continuous) at
TC = 25 °C
44
4 (1)
A
ID
Drain current (continuous) at
TC = 100 °C
2.5
2.5
2.5 (1)
A
IDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area
Drain current (pulsed)
12
12
12 (1)
A
PTOT
Total dissipation at TC = 25 °C
160
63
W
VISO
Insulation withstand voltage (RMS)
from all three leads to external heat
sink (t=1 s;TC=25 °C)
3500
V
Tstg
Storage temperature
-55 to 150
°C
Tj
Max. operating junction temperature
150
°C
Table 3.
Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
TO-220
TO-247
TO-3PF
Rthj-case
Thermal resistance junction-case
max
0.78
2
°C/W
Rthj-amb
Thermal resistance junction-
ambient max
62.5
50
°C/W
Table 4.
Avalanche characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
IAR
Avalanche current, repetitive or not-repetitive
(pulse width limited by Tj max)
4A
EAS
Single pulse avalanche energy
(starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 50 V)
350
mJ



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com