| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP85NF55 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP85NF55 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 15 page ![]() STB/I/P85NF55 Electrical characteristics Doc ID 8405 Rev 9 5/15 Table 7. Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min Typ. Max Unit ISD Source-drain current - 80 A ISDM (1) 1. Pulse width limited by safe operating area Source-drain current (pulsed) - 320 A VSD (2) 2. Pulsed: pulse duration=300µs, duty cycle 1.5% Forward on voltage ISD = 80 A, VGS = 0 - 1.5 V trr Qrr IRRM Reverse recovery time Reverse recovery charge Reverse recovery current ISD = 80 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 25 V, TJ = 150 °C Figure 16 on page 8 - 75 210 5.5 ns nC A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |