| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SSM4409GEM bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Silicon Standard Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SSM4409GEM bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Silicon Standard Corp. |
|
4 / 5 page ![]() 08/04/2007 Rev.1.00 www.SiliconStandard.com 4 SSM4409GEM Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Transfer Characteristics Fig 12. Gate Charge Waveform Q VG -4.5V QGS QGD QG Charge 0.001 0.01 0.1 1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t , Pulse Width (s) PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthja + Ta Rthja=125 oC/W t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse 0 20 40 60 012345 -V GS , Gate-to-Source Voltage (V) T j =150 o C T j =25 o C V DS =-5V 0 4 8 12 16 0 30 60 90 120 Q G , Total Gate Charge (nC) I D = - 14A V DS = - 30 V 0.01 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T A =25 o C Single Pulse 1ms 10ms 100ms 1s DC 100 1000 10000 1 5 9 131721 2529 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |