| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HFS75N75 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HFS75N75 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd. |
|
3 / 7 page ![]() ◎ SEMIHOW REV.A1,Dec 2008 Typical Characteristics 2 4 6 8 10 10 0 10 1 10 2 * Note 1. V DS = 40V 2. 250 µs Pulse Test -55 oC 150 oC 25 oC V GS , Gate-Source Voltage [V] 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 10 0 10 1 10 2 25 oC 150 oC * Note : 1. V GS = 0V 2. 250 µs Pulse Test V SD , Source-Drain Voltage [V] 10 -1 10 0 10 1 0 2000 4000 6000 8000 C iss = Cgs + Cgd (Cds = shorted) C oss = Cds + Cgd C rss = Cgd * Note ; 1. V GS = 0 V 2. f = 1 MHz C rss C oss C iss V DS, Drain-Source Voltage [V] 0 20 40 60 80 100 0 2 4 6 8 10 12 V DS = 37.5V V DS =60V * Note : I D = 80.0 A Q G, Total Gate Charge [nC] V DS = 15V 0 25 50 75 100 125 150 175 200 0.008 0.009 0.010 0.011 0.012 0.013 0.014 * Note : T J = 25 oC V GS = 20V V GS = 10V I D , Drain Current [A] Figure 1. On Region Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. On Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage Figure 4. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |