| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HFS8N60S bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HFS8N60S bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - SemiHow Co.,Ltd. |
|
3 / 7 page ![]() ◎ SEMIHOW REV.A0,Dec 2006 V GS, Gate-Source Voltage [V] V DS, Drain-Source Voltage [V] Typical Characteristics 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 10 -1 10 0 10 1 150 oC ∗ Note : 1. V GS = 0V 2. 250 µs Pulse Test 25 oC V SD, Source-Drain voltage [V] 0 4 8 12 16 20 24 0 2 4 6 8 10 12 Q G, Total Gate Charge [nC] V DS = 120V V DS = 300V V DS = 480V * Note : I D=7.5A Figure 1. On Region Characteristics Figure 2. Transfer Characteristics Figure 3. On Resistance Variation vs Drain Current and Gate Voltage Figure 4. Body Diode Forward Voltage Variation with Source Current and Temperature Figure 5. Capacitance Characteristics Figure 6. Gate Charge Characteristics V DS, Drain-Source Voltage [V] 0 4 8 12 16 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 V GS = 20V V GS = 10V ∗ Note : T J = 25 oC I D, Drain Current [A] |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |