| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MSC1090M bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Microsemi Corporation |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MSC1090M bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Microsemi Corporation |
|
1 / 3 page ![]() MSC1090M Microsemi reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein. Visit our web site at www.microsemi.com or contact our factory direct. DESCRIPTION: The MSC1090M is a medium power Class C transistor designed specifically for pulsed L-Band avionics applications. Low RF thermal resistance and emitter ballasting ensure high reliability and product consistency. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25 °C) Symbol Parameter Value Unit PDISS Power Dissipation 220 W VCBO Collector Base Voltage 65 V Vces Collector Emitter Voltage 65 V Vebo Emitter Base Voltage 3.5 V TJ Junction Temperature 200 ºC IC Device Current 5.52 A TSTG Storage Temperature -65 to +150 ºC Thermal Data RTH(j-c) Junction-Case Thermal Resistance .8 °C/W Revision A, January 2010 Features • 1025-1150 MHz • GOLD METALLIZATION • INPUT MATCHED • INFINITE VSWR CAPABILITY @ RATED CONDITIONS • P OUT = 90 W MINIMUM • G P = 8.4 dB RF AND MICROWAVE TRANSISTORS AVIONICS APPLICATIONS |
Số phần tương tự - MSC1090M |
|
Mô tả tương tự - MSC1090M |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |