| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
RJH60D2DPE bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RJH60D2DPE bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Renesas Technology Corp |
|
1 / 4 page ![]() REJ03G1842-0100 Rev.1.00 Oct 14, 2009 Page 1 of 3 Preliminary RJH60D2DPE Silicon N Channel IGBT Application: Inverter REJ03G1842-0100 Rev.1.00 Oct 14, 2009 Features • High breakdown-voltage • Low on-voltage • Built-in diode Outline 1. Gate 2. Collector 3. Emitter 4. Collecotor RENESAS Package code: PRSS0004AE-B (Package name: LDPAK (S)-(1) ) 1 2 3 4 C G E Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Item Symbol Ratings Unit Collector to emitter voltage / diode reverse voltage VCES / VR 600 V Gate to emitter voltage VGES ±30 V Tc = 25°C IC 20 A Collector current Tc = 100°C IC 10 A Collector peak current ic(peak) Note1 40 A Collector to emitter diode forward current iDF 10 A Collector to emitter diode forward peak current iD(peak) Note1 40 A Collector dissipation PC Note2 90 W Junction to case thermal impedance θj-c Note2 1.39 °C/ W Junction temperature Tj 150 °C Storage temperature Tstg –55 to +150 °C Notes: 1. PW ≤ 10 μs, duty cycle ≤ 1% 2. Value at Tc = 25 °C |
Số phần tương tự - RJH60D2DPE |
|
Mô tả tương tự - RJH60D2DPE |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |