| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IKCS08F60F2C bảng dữ liệu(PDF) 13 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IKCS08F60F2C bảng dữ liệu(HTML) 13 Page - Infineon Technologies AG |
|
13 / 18 page ![]() CIPOS™ IKCS08F60F2A IKCS08F60F2C Data Sheet 13/18 Rev. 2, March 2009 Characteristics (Tc = 25°C, VDD = 15V, if not stated otherwise) 0V 1V 2V 3V 0A 3A 6A 9A 125°C 150°C V GE=25°C 0V 1V 2V 0A 3A 6A 9A 125°C 150°C V GE=25°C VCE, COLLECTOR EMITTER VOLTAGE VF FORWARD VOLTAGE Figure 5. Typical IGBT output characteristic Figure 6. Typical diode forward current as a function of forward voltage 0A 2A 4A 6A 8A 10A 10ns 100ns 1000ns t f t d(on) t r t d(off) 25°C 50°C 75°C 100°C 125°C 10ns 100ns 1000ns t f t d(on) t r t d(off) IC, COLLECTOR CURRENT TvJ, JUNCTION TEMPERATURE Figure 7. Typical switching times as a function of collector current (inductive load, TJ=150°C, VCE = 300V Dynamic test circuit in Figure A) Figure 8. Typical switching times as a function of junction temperature (inductive load, VCE = 300V, IC = 4A Dynamic test circuit in Figure A) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |