| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32F101T6U6ATR bảng dữ liệu(PDF) 47 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32F101T6U6ATR bảng dữ liệu(HTML) 47 Page - STMicroelectronics |
|
47 / 73 page ![]() STM32F101x4, STM32F101x6 Electrical characteristics Doc ID 15058 Rev 3 47/74 5.3.9 Memory characteristics Flash memory The characteristics are given at TA = –40 to 85 °C unless otherwise specified. Table 28. Flash memory endurance and data retention Table 27. Flash memory characteristics Symbol Parameter Conditions Min(1) 1. Guaranteed by design, not tested in production. Typ Max(1) Unit tprog 16-bit programming time TA–40 to +85 °C 40 52.5 70 µs tERASE Page (1 KB) erase time TA –40 to +85 °C 20 40 ms tME Mass erase time TA –40 to +85 °C 20 40 ms IDD Supply current Read mode fHCLK = 36 MHz with 1 wait state, VDD = 3.3 V 20 mA Write / Erase modes fHCLK = 36 MHz, VDD = 3.3 V 5mA Power-down mode / Halt, VDD = 3.0 to 3.6 V 50 µA Vprog Programming voltage 2 3.6 V Symbol Parameter Conditions Value Unit Min(1) 1. Based on characterization not tested in production. Typ Max NEND Endurance TA = –40 °C to 85 °C 10 kcycles tRET Data retention TA = 85 °C, 1 kcycle (2) 2. Cycling performed over the whole temperature range. 30 Years TA = 55 °C, 10 kcycle (2) 20 |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |