2SD1664 datasheet(1/3 Pages) SECOS

tên linh kiện	2SD1664

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN Silicon General Purpose Transistor

PDF	3 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Trang chủ	http://www.secosgmbh.com

Logo

1 / 3 page

Any changing of specification will not be informed individual

2SD1664

NPN Silicon

General Purpose Transistor

1

2

3

R o H S C o m p lia n t P ro d u c t

01-Jun-2002 Rev. A

Page 1 of 3

Parameter

Symbol

Test Conditions

MIN

MAX

UNIT

http://www.SeCoSGmbH.com

Elektronische Bauelemente

Features

Power dissipation

PCM : 0.5 W (Tamb= 25

oC)

Collector current

ICM

: 1 A

Collector-base voltage

V(BR)CBO : 40 V

Operating & Storage junction Temperature

Tj, Tstg : -55 C~ +150 C

OO

Electrical Characteristics( Tamb=25OC unless otherwise specified)

Symbol

A

b

b1

c

D

D1

E

E1

e

e1

L

Min

1.400

0.320

0.360

0.350

4.400

1.400

2.300

3.940

2.900

0.900

Max

1.600

0.520

0.560

0.440

4.600

1.800

2.600

4.250

3.100

1.100

Min

0.055

0.013

0.014

0.173

0.055

0.091

0.155

0.114

0.035

Max

0.063

0.020

0.022

0.017

0.181

0.071

0.102

0.167

0.122

0.043

Dimensions In Millimeters

Dimensions In Inches

0.060TYP

1.500TYP

D

D1

C

A

b

b1

e

e1

SOT-89

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

Ic= 50

A IE=0

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

Ic= 1mA IB=0

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

IE=50 A IC=0

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB= 20 V, IE=0

A

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=4V, IC=0

A

hFE

VCE=3V, IC= 0.1A

82

DC current gain

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

IC= 500mA, IB= 50mA

0.4

V

Transition frequency

fT

VCE=5V , IC= 50mA

f=1MHz

MHz

Output Capacitance

Cob

VCB= 10V, IE= 0

f=1MHz

pF

TYP

150

15

40

32

5

390

0.5

Rank

P

Q

Range

Marking

R

DAP

DAQ

DAR

Classification of hFE

82-180

120-270

180-390

Số phần tương tự - 2SD1664

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Rohm	2SD1664	118Kb / 3P	Medium Power Transistor (32V, 1A)
Unisonic Technologies	2SD1664	188Kb / 3P	MEDIUM POWER NPN TRANSISTOR
Rohm	2SD1664	129Kb / 4P	Medium Power Transistor (32V, 1A)
Guangdong Kexin Industr...	2SD1664	365Kb / 3P	Medium Power Transistor
Rohm	2SD1664	173Kb / 4P	Medium Power Transistor (32V, 1A)

More results

Mô tả tương tự - 2SD1664

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Zowie Technology Corpor...	BC847A	79Kb / 4P	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
	BC849B	78Kb / 4P	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
	MMBT3906	107Kb / 5P	GENERAL PURPOSE TRANSISTOR NPN SILICON
Weitron Technology	MMBT3904W	368Kb / 7P	General Purpose Transistor NPN Silicon
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC1213	77Kb / 2P	NPN Silicon General Purpose Transistor
	2SC2235	181Kb / 2P	NPN Silicon General Purpose Transistor
	2SC2412	331Kb / 3P	NPN Silicon General Purpose Transistor
SEMTECH ELECTRONICS LTD...	MMBT4401	185Kb / 2P	NPN Silicon General Purpose Transistor
Zowie Technology Corpor...	MMBT2222AGH	84Kb / 5P	General Purpose Transistor NPN Silicon
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC4618	456Kb / 2P	NPN Silicon General Purpose Transistor

More results

2SD1664 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

2SD1664 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

Số phần tương tự - 2SD1664

Mô tả tương tự - 2SD1664

Html Pages

1 2 3

bảng dữ liệu tải về

Link URL