2SD1619 datasheet(1/3 Pages) SECOS

tên linh kiện	2SD1619

Giải thích chi tiết về linh kiện	PNP Silicon Medium Power Transistor

PDF	3 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Trang chủ	http://www.secosgmbh.com

Logo

1 / 3 page

Any changing of specification will not be informed individual

2SB1119/2SD1619

PNP Silicon

Medium Power Transistor

RoHS Compliant Product

http://www.SeCoSGmbH.com

Elektronische Bauelemente

Symbol

A

b

b1

c

D

D1

E

E1

e

e1

L

Min

1.400

0.320

0.360

0.350

4.400

1.400

2.300

3.940

2.900

0.900

Max

1.600

0.520

0.560

0.440

4.600

1.800

2.600

4.250

3.100

1.100

Min

0.055

0.013

0.014

0.173

0.055

0.091

0.155

0.114

0.035

Max

0.063

0.020

0.022

0.017

0.181

0.071

0.102

0.167

0.122

0.043

Dimensions In Millimeters

Dimensions In Inches

0.060TYP

1.500TYP

D

D1

C

A

b

b1

e

e1

SOT-89

1.BASE

2.COLLECTOR

3.EMITTER

FEATURES

Power dissipation

P CM : 500mW Tamb=25

Collector current

ICM :-1

A

Collector-base voltage

VB(BR)CBO :

-25

V

Operating and storage junction temperature range

TJ

Tstg: -55

to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Tamb=25

unlessotherwise

specified CLASSIFICATION OF

hFE(1)

Parameter

Symbol

Test

conditions

MIN

TYP

MAX

UNIT

Collector-base breakdown voltage

V(BR)CBO

Ic=-10

A

IE=0

-25

V

Collector-emitter breakdown voltage

V(BR)CEO

IC= -1 mA ,

IB=0

-25

V

Emitter-base breakdown voltage

V(BR)EBO

IE= -10

A

IC=0

-5

V

Collector cut-off current

ICBO

VCB= -20 V ,

IE=0

-0.1

A

Collector cut-off current

ICEO

VCE= -20 V ,

IB=0

-0.1

A

Emitter cut-off current

IEBO

VEB=-4V ,

IC=0

-0.1

A

hFE 1

VCE= -2V, IC= -50mA

100

560

DC current gain

hFE 2

VCE=-2V, IC= -1A

40

Collector-emitter saturation voltage

VCE(sat)

IC=-0.5A,

IB= -50mA

-0.7

V

Base-emitter saturation voltage

VBE(sat)

IC=-0.5A,

IB= -50mA

-1.2

V

Transition frequency

f T

VCE= -10V,

IC=-50mA

VCB=-10V, f =

1MH

180

MHz

CLASSIFICATION OF hFE(1)

Rank

RS

T

U

Range

100-200

140-280

200-400

280-560

Collector output capacitance

25

pF

Cob

Marking 2SB1119 :

BB

2SD1619 :

DB

01-Jun-2002 Rev. A

Page 1 of 3

Số phần tương tự - 2SD1619

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Sanyo Semicon Device	2SD1619	85Kb / 3P	LF Amp,Electronic Governor Applications
Guangdong Kexin Industr...	2SD1619	51Kb / 1P	NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
Inchange Semiconductor ...	2SD1619	260Kb / 2P	isc Silicon NPN Power Transistor
SHIKUES Electronics	2SD1619	845Kb / 3P	Power dissipation, Collector base voltage
Guangdong Kexin Industr...	2SD1619-R	1Mb / 3P	NPN Transistors

More results

Mô tả tương tự - 2SD1619

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	2N5195	61Kb / 5P	MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR Jun-1997
STMicroelectronics	2N5195	122Kb / 5P	MEDIUM POWER PNP SILICON TRANSISTOR Dec-2000
Microsemi Corporation	2N6193	58Kb / 2P	PNP MEDIUM POWER SILICON TRANSISTOR
SeCoS Halbleitertechnol...	2SA1213	289Kb / 3P	PNP Silicon Medium Power Transistor
	2SB1132	162Kb / 3P	PNP Silicon Medium Power Transistor
	2SB1188	638Kb / 2P	PNP Silicon Medium Power Transistor
	2SB772Q	86Kb / 2P	PNP Silicon Medium Power Transistor
	BCP53	303Kb / 2P	PNP Silicon Medium Power Transistor
	2SB1132	177Kb / 3P	PNP Silicon Medium Power Transistor
	2SB1188	343Kb / 2P	PNP Silicon Medium Power Transistor

More results

2SD1619 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

2SD1619 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

Số phần tương tự - 2SD1619

Mô tả tương tự - 2SD1619

Html Pages

1 2 3

bảng dữ liệu tải về

Link URL