| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD868 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD868 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SD868 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=200m A;IC=0 5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=2 A;IB=0.6 A B 8.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=2 A;IB=0.6 A B 1.5 V ICBO Collector cut-off current VCB=500V;IE=0 10 μA hFE DC current gain IC=0.5A ; VCE=5V 8 VF Diode forward voltage IF=2.5A 2.0 V fT Transition frequency IC=0.1A ; VCE=10V; f=1MHz 3 MHz COB Collector output capacitance IE=0 ; VCB=10V;f=1MHz 100 pF tf Fall time IC=2A;IB1end=0.6A 1.0 μs 2 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |