| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SD847 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SD847 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Website:www.iscsemi.cn 2 isc Silicon NPN Power Transistor 2SD847 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 10mA ; IB= 0 40 V V(BR)CBO Collector-Base Breakdown Voltage IC= 0.1mA ; IE= 0 40 V V(BR)EBO Emitter-Base Breakdown Voltage IE= 0.1mA ; IC= 0 5 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 0.8 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 5A; IB= 0.5A 1.8 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 40V ; IE= 0 0.01 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 0.1 mA hFE DC Current Gain IC= 5A ; VCE= 2V 40 240 Switching times ton Turn-on Time 1.0 μs tstg Storage Time 2.0 μs tf Fall Time IC= 15A , IB1= -IB2= 1.5A RL= 2Ω;PW=20μs Duty Cycle≤2% 1.0 μs |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |