| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MJ1001 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MJ1001 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Darlington Power Transistor MJ1001 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 0.1A; IB= 0 80 V VCE(sat)-1 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 12mA B 2.0 V V CE(sat)-2 Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 8A; IB= 40mA B 4.0 V VBE(on) Base-Emitter On Voltage IC= 3A, VCE= 3V 2.5 V ICER Collector Cutoff Current VCE= 80V; RBE=1kΩ VCE= 80V; RBE=1kΩ; TC=150℃ 1.0 5.0 mA ICEO Collector Cutoff Current VCE= 40V; IB= 0 B 0.5 mA IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 5V; IC= 0 2.0 mA hFE-1 DC Current Gain IC= 3A, VCE= 3V 1000 hFE-2 DC Current Gain IC= 4A, VCE= 3V 750 isc Website:www.iscsemi.cn |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |