| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SA887 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA887 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 3 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA887 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-10mA; IB=0 -50 V V(BR)CBO Collector-base breakdown voltage IC=-1mA; IE=0 -70 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-1A ;IB=-0.1A B -0.6 -1.2 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-2A ;IB=-0.2 A B -1.0 -1.5 V hFE-1 DC current gain IC=-100mA ; VCE=-5V 30 hFE-2 DC current gain IC=-1A ; VCE=-5V 50 220 ICBO Collector cut-off current VCB=-40V; IE=0 -1.0 μA ICEO Collector cut-off current VCE=-20V; IB=0 -100 μA IEBO Emitter cut-off current VEB=-5V; IC=0 -10 μA fT Transition frequency IE=0.5A ; VCB=-5V 150 MHz hFE-2 Classifications P Q R 50-100 80-160 120-220 2 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |