| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SA1110 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SA1110 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 4 page ![]() Inchange Semiconductor Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SA1110 CHARACTERISTICS Tj=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-emitter breakdown voltage IC=-100μA;IB=0 -120 V V(BR)EBO Emitter-base breakdown voltage IE=-10μA ;IC=0 -5 V VCEsat Collector-emitter saturation voltage IC=-0.3A ;IB=-30mA -1.0 V VBEsat Base-emitter saturation voltage IC=-0.3A ;IB=-30mA -1.2 V hFE-1 DC current gain IC=-150mA ; VCE=-10V 65 330 hFE-2 DC current gain IC=-0.5A ; VCE=-5V 50 100 COB Output capacitance IE=0 ; VCB=-10V;f=1MHz 30 pF fT Transition frequency IC=-50mA ; VCB=-10V, 200 MHz hFE-1 Classifications P Q R S 65-110 90-155 130-220 185-330 2 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |