| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MJE2801T bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MJE2801T bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor MJE2801T DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 60V(Min) ·High DC Current Gain- : hFE= 25-100@IC= 3A ·Complement to Type MJE2901T APPLICATIONS ·Designed for use as an output device in complementary audio amplifiers up to 35 watts music power per channel. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 60 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V IC Collector Current-Continuous 10 A IB B Base Current-Continuous 5 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 75 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.67 ℃/W isc Website:www.iscsemi.cn |
Số phần tương tự - MJE2801T |
|
Mô tả tương tự - MJE2801T |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |