| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BD550B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BD550B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor Product Specification isc Silicon NPN Power Transistors BD550B DESCRIPTION ·High Power Dissipation ·Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 110V(Min) APPLICATIONS ·Designed for use as either driver or output unit applications in audio amplifier circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER MAX UNIT VCBO Collector-Base Voltage 275 V VCER Collector-Emitter Voltage RBE= 100Ω 275 V VCEO Collector-Emitter Voltage 250 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 7 A IB B Base Current-Continuous 2 A PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 150 W Tj Junction Temperature 200 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~200 ℃ isc Website:www.iscsemi.cn |
Số phần tương tự - BD550B |
|
Mô tả tương tự - BD550B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |