2SC3356 datasheet(1/1 Pages) KEXIN

tên linh kiện	2SC3356

Giải thích chi tiết về linh kiện	NPN Silicon Epitaxial Transistor

PDF	1 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	KEXIN [Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd]

Trang chủ	http://www.kexin.com.cn/index.asp

Logo

1 / 1 page

SMD Type

Transistors

1

www.kexin.com.cn

NPN Silicon Epitaxial Transistor

2SC3356

Features

Low noise and high gain.

NF = 1.1 dB Typ., Ga =11dBTyp.@VCE =10V,IC =7mA,f=1.0 GHz

High power gain.

MAG = 13 dB Typ. @VCE =10V,IC =20mA, f=1.0GHz

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Collector to base voltage

VCBO

20

V

Collector to emitter voltage

VCEO

12

V

Emitter to base voltage

VEBO

3.0

V

Collector current (DC)

IC

100

mA

Total power dissipation

Ptot

200

mW

Junction temperature

Tj

150

Storage temperature range

Tstg

-65 to +150

hFE Classification

Marking

R23

R24

R25

Rank

Q

R

S

hFE

50

100

80

160

125

250

0.4+0.1

-0.1

2.9+0.1

-0.1

0.95+0.1

-0.1

1.9+0.1

-0.1

1.Base

2.Emitter

3.collector

12

3

Unit: mm

SOT-23

0.1+0.05

-0.01

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Symbol

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

Collector cutoff current

ICBO

VCB =10V,IE =0mA

1.0

A

Emitter cutoff current

IEBO

VEB =1.0 V, IC =0mA

1.0

A

DC current gain *

hFE

VCE =10V,IC = 20 mA

50

120

250

Insertion power gain

S21e

2

VCE =10V,IC =20mA,f=1GHz

11.5

dB

Noise figure

NF

VCE =10V,IC = 7 mA, f = 1 GHz

1.1

2.0

dB

Reverse transfer capacitance

Cre

VCB =10V,IE = 0 mA, f = 1 MHz

0.55

1.0

pF

Transition frequency

fT

VCE =10V,IC =20mA

7

GHz

*. Pulse measurement: PW

350

s, Duty Cycle

2%.

Số phần tương tự - 2SC3356

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NEC	2SC3356	102Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER(NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR)
Unisonic Technologies	2SC3356	105Kb / 3P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER
SeCoS Halbleitertechnol...	2SC3356	251Kb / 3P	NPN Silicon Plastic-Encapsulate Transistor
Weitron Technology	2SC3356	430Kb / 3P	High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon
Unisonic Technologies	2SC3356	197Kb / 4P	HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER

More results

Mô tả tương tự - 2SC3356

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Samsung semiconductor	2N6516	35Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BCW33	27Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BCW60B	34Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BCX70G	34Kb / 1P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
Fairchild Semiconductor	BC237	45Kb / 4P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	BC846	68Kb / 3P	NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
	FJN3301R	69Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJN3307R	37Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJN3308R	36Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor
	FJNS3201R	69Kb / 4P	NPN Epitaxial Silicon Transistor

More results

2SC3356 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

2SC3356 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd

Số phần tương tự - 2SC3356

Mô tả tương tự - 2SC3356

Html Pages

1

bảng dữ liệu tải về

Link URL