| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MMBT5550 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MMBT5550 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
|
1 / 2 page ![]() SMD Type Transistors 1 www.kexin.com.cn 0.4+0.1 -0.1 2.9+0.1 -0.1 0.95+0.1 -0.1 1.9+0.1 -0.1 1.Base 2.Emitter 3.collector 12 3 Unit: mm SOT-23 0.1+0.05 -0.01 High Voltage Transistors MMBT5550 Features NPN Silicon Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-emitter voltage VCEO 140 V Collector-base voltage VCBO 160 V Emitter-base voltage VEBO 6V Collector current -continuous IC 600 mA Total device dissipation FR-5 board *1 @TA = 25 PD 225 mW Derate above 25 1.8 mW/ Thermal resistance, junction-to-ambient RèJA 556 /W Total device dissipation alumina substrate *2 @TA = 25 PD 300 mW derate above 25 2.4 mW/ Thermal resistance, junction-to-ambient RèJA 417 /W Junction and storage temperature TJ,Tstg -55to+150 * 1. FR-5 = 1.0 X 0.75 X 0.062 in. * 2. Alumina = 0.4 X 0.3 X 0.024 in. 99.5% alumina. |
Số phần tương tự - MMBT5550 |
|
Mô tả tương tự - MMBT5550 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |