công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

SPP06N80C3. bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Infineon Technologies AG

tên linh kiện SPP06N80C3.
Giải thích chi tiết về linh kiện  Cool MOS??Power Transistor
PDF  13 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  INFINEON [Infineon Technologies AG]
Trang chủ  http://www.infineon.com
Logo INFINEON - Infineon Technologies AG

SPP06N80C3. bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Infineon Technologies AG

  SPP06N80C3. Datasheet HTML 1Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 2Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 3Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 4Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 5Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 6Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 7Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 8Page - Infineon Technologies AG SPP06N80C3. Datasheet HTML 9Page - Infineon Technologies AG Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 2 / 13 page
background image
Rev. 2.6
Page 2
2007-08-30
SPP06N80C3
SPA06N80C3
Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Drain Source voltage slope
VDS = 640 V, ID = 6 A, Tj = 125 °C
dv/dt
50
V/ns
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Thermal resistance, junction - case
RthJC
-
-
1.5
K/W
Thermal resistance, junction - case, FullPAK
RthJC_FP
-
-
3.9
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
RthJA
-
-
62
Thermal resistance, junction - ambient, FullPAK
RthJA_FP
-
-
80
Soldering temperature, wavesoldering
1.6 mm (0.063 in.) from case for 10s 3)
Tsold
-
-
260
°C
Electrical Characteristics, at Tj=25°C unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Conditions
Values
Unit
min.
typ.
max.
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V, ID=0.25mA
800
-
-
V
Drain-Source avalanche
breakdown voltage
V(BR)DS VGS=0V, ID=6A
-
870
-
Gate threshold voltage
VGS(th)
ID=250µA, VGS=VDS
2.1
3
3.9
Zero gate voltage drain current
IDSS
VDS=800V, VGS=0V,
Tj=25°C
Tj=150°C
-
-
0.5
-
10
100
µA
Gate-source leakage current
IGSS
VGS=20V, VDS=0V
-
-
100
nA
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=3.8A
Tj=25°C
Tj=150°C
-
-
0.78
2.1
0.9
-
Ω
Gate input resistance
RG
f=1MHz, open drain
-
0.7
-



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com