THD277HI datasheet(2/5 Pages) STMICROELECTRONICS

tên linh kiện	THD277HI

Giải thích chi tiết về linh kiện	HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

2 / 5 page

THERMAL DATA

Rthj-ca se

Thermal Resistance Junction-case

Max

2.5

oC/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tcase =25

oC unless otherwise specified)

Symb ol

Parameter

Test Cond ition s

Mi n.

Typ .

Max.

Un it

ICES

Collect or Cut-off

Current (VBE =0)

VCE = 1500 V

200

µA

IEBO

Emitt er Cut-off Current

(IC =0)

VEB =5 V

µA

VEBO

Emitt er-Base Voltage

IE =10 mA

VCEO(sus )

∗ Collector-Emitter

Sustaining Voltage

(IB =0)

IC = 100 mA

700

VCE(sat)

∗ Collector-Emitter

Saturat ion Voltage

IC =4 A

IB =1 A

0.9

VBE(s at)

∗ Base-Emitter

Saturat ion Voltage

IC =4 A

IB =1 A

1.3

hFE

∗

DC Current G ain

IC =4 A

VCE =5 V

IC =4 A

VCE =5 V

Tj = 100

RESI STIVE LO AD

St orage Time

Fall T ime

VCC =400 V

IC =4 A

IB1 =1 A

IB2 =-2 A

2.1

140

3.2

210

µs

INDUCTIVE LOAD

St orage Time

Fall T ime

IC =4 A

f =15625 Hz

IB1 =1 A

IB2 =-2 A

Vc eflybac k = 1050 sin







6





4.3

370

µs

INDUCTIVE LOAD

St orage Time

Fall T ime

IC =4 A

f =31250 Hz

IB1 =1 A

IB2 =-2 A

Vc eflybac k = 1050 sin







6





4.3

330

µs

∗ Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %

Safe Operating Area

Thermal Impedance

THD277HI

2/5

THD277HI bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - STMicroelectronics

THD277HI bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - STMicroelectronics

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL