| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BAS85 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAS85 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
2 / 5 page ![]() www.vishay.com 2 Document Number 85510 Rev. 1.8, 27-Mar-06 BAS85 Vishay Semiconductors Electrical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Typical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Parameter Test condition Symbol Min Typ. Max Unit Reverse breakdown voltage IR = 10 µA (pulsed) V(BR)R 30 V Leakage current VR = 25 V IR 0.2 2 µA Forward voltage Pulse test tp < 300 µs, IF = 0.1 mA VF 240 mV Pulse test tp < 300 µs, IF = 1 mA VF 320 mV Pulse test tp < 300 µs, IF = 10 mA VF 400 mV Pulse test tp < 300 µs, IF = 30 mA VF 500 mV Pulse test tp < 300 µs, IF = 100 mA VF 800 mV Diode capacitance VR = 1 V, f = 1 MHz Ctot 10 pF Reverse recovery time IF = 10 mA, IR = 10 mA, Irr = 1 mA, trr 5ns Figure 1. Max. Reverse Power Dissipation vs. Junction Temperature 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 25 50 75 100 125 150 T j - Junction Temperature (°C) 15822 V R = 30 V R thJA = 540 kW P R - Limit at 100 % V R P R - Limit at 80 % V R Figure 2. Reverse Current vs. Junction Temperature 1 10 100 1000 25 50 75 100 125 150 15823 V R = VRRM T j - Junction Temperature (°C) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |