| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
VSKTF18012HKP bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
VSKTF18012HKP bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Vishay Siliconix |
|
2 / 9 page ![]() www.vishay.com For technical questions, contact: ind-modules@vishay.com Document Number: 93685 2 Revision: 22-Apr-08 VSK.F180..P Series Vishay High Power Products Fast Thyristor/Diode and Thyristor/Thyristor (MAGN-A-PAKTM Power Modules), 180 A CURRENT CARRYING CAPABILITY FREQUENCY UNITS 50 Hz 370 530 565 800 2400 3150 A 400 Hz 435 650 670 1000 1540 2050 2500 Hz 290 430 490 720 610 830 5000 Hz 240 345 390 540 390 540 10 000 Hz 170 270 290 390 - - Recovery voltage Vr 50 50 50 V Voltage before turn-on Vd 80 % VDRM 80 % VDRM 80 % VDRM Rise of on-state current dl/dt 50 - - A/µs Case temperature 85 60 85 60 85 60 °C Equivalent values for RC circuit 10/0.47 10/0.47 10/0.47 Ω/µF ON-STATE CONDUCTION PARAMETER SYMBOL TEST CONDITIONS VALUES UNITS Maximum average on-state current at case temperature IT(AV) 180° conduction, half sine wave 180 A 85 °C Maximum RMS current IT(RMS) As AC switch 400 A Maximum peak, one-cycle non-repetitive surge current ITSM t = 10 ms No voltage reapplied Sinusoidal half wave, initial TJ = TJ maximum 7130 t = 8.3 ms 7470 t = 10 ms 100 % VRRM reapplied 6000 t = 8.3 ms 6280 Maximum I2t for fusing I2t t = 10 ms No voltage reapplied 255 kA2s t = 8.3 ms 232 t = 10 ms 100 % VRRM reapplied 180 t = 8.3 ms 164 Maximum I2 √t for fusing I2 √t t = 0.1 to 10 ms, no voltage reapplied 2550 kA2 √s Low level value or threshold voltage VT(TO)1 (16.7 % x π x I T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum 1.30 V High level value of threshold voltage VT(TO)2 (I > π x I T(AV)), TJ = TJ maximum 1.38 Low level value on-state slope resistance rt1 (16.7 % x π x I T(AV) < I < π x IT(AV)), TJ = TJ maximum 0.90 m Ω High level value on-state slope resistance rt2 (I > π x I T(AV)), TJ = TJ maximum 0.71 Maximum on-state voltage drop VTM Ipk = 600 A, TJ = TJ maximum, tp = 10 ms sine pulse 1.84 V Maximum holding current IH TJ = 25 °C, IT > 30 A 600 mA Typical latching current IL TJ = 25 °C, VA = 12 V, Ra = 6 Ω, Ig = 1A 1000 180° el I TM 180° el I TM 100 µs I TM |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |