| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TCST1030L bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TCST1030L bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Vishay Siliconix |
|
3 / 10 page ![]() TCST1030(L) Document Number 83763 Rev. 1.6, 16-Aug-06 Vishay Semiconductors www.vishay.com 3 Typical Characteristics Tamb = 25 °C, unless otherwise specified Figure 1. Test Circuit for ton and toff Figure 2. Switching Times Channel I Channel II 20223 + 5 V IC = 1 mA; adjusted by I IF 0 IF RG = 50 Ω tp t p T = 0.01 Oscilloscope R 1 M Ω L ≥ CL ≤ 20 pF 50 Ω 100 Ω = 50 µs F tp t t 0 0 10 % 90 % 100 % tr td ton ts tf toff IF IC 96 11698 tp pulse duration td delay time tr rise time ton (=t + t ) d r turn-on time ts storage time tf fall time toff (= ts +tf)turn-off time Figure 3. Power Dissipation Limit vs. Ambient Temperature 0 0 100 200 300 400 95 11088 Tamb - Ambient Temperature (°C) Coupled device Phototransistor IR - diode 150 120 90 60 30 Figure 4. Forward Current vs. Forward Voltage 0.1 1 10 100 1000 0 VF - Forward Voltage (V) 96 11862 1.6 0.2 1.4 1.2 1.0 0.8 0.6 0.4 2.0 1.8 Figure 5. Relative Current Transfer Ratio vs. Ambient Temperature 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 96 11767 VCE = 5 V IF = 20 mA Tamb - Ambient Temperature (°C) - 30 90 80 70 60 50 40 30 20 10 0 -10 - 20 100 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |