| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
H8SX/1663M bảng dữ liệu(PDF) 1449 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
H8SX/1663M bảng dữ liệu(HTML) 1449 Page - Renesas Technology Corp |
|
1449 / 1504 page ![]() Section 30 Electrical Characteristics Rev. 2.00 Sep. 24, 2008 Page 1417 of 1468 REJ09B0412-0200 Item Symbol Min. Typ. Max. Unit Test Conditions Erasure time (total)* 1, *2, *4 Σ tE 3.4 9 H8SX/1663R, H8SX/1663M s/384 Kbytes T a = 25°C 4.5 12 H8SX/1664R H8SX/1664M s/512 Kbytes 9.0 24 H8SX/1668R H8SX/1668M s/1 Mbyte Σ tPE 6.8 18 H8SX/1663R, H8SX/1663M s/384 Kbytes T a = 25°C 9.0 24 H8SX/1664R H8SX/1664M s/512 Kbytes Programming, Erasure time (total)* 1, *2, *4 18.0 48 H8SX/1668R H8SX/1668M s/1 Mbyte Overwrite count N WEC 100* 3 times Data save time* 4 T DRP 10 years Notes: 1. Programming time and erase time depend on data in the flash memory. 2. Programming time and erase time do not include time for data transfer. 3. All the characteristics after programming are guaranteed within this value (guaranteed value is from 1 to Min. value). 4. Characteristics when programming is performed within the Min. value 5. V CC = PLLVCC = DrVCC = 2.95 V to 3.60 V in the H8SX/1668M Group. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |